西門(mén)子模塊6ES7414-4HM14-0AB0         西門(mén)子模塊6ES7414-4HM14-0AB0

潯之漫智控技術(shù)（上海）有限公司 上海詩(shī)慕自動(dòng)化設(shè)備有限公司
本公司銷售西門(mén)子自動(dòng)化產(chǎn)品，*，質(zhì)量保證，價(jià)格優(yōu)勢(shì)
西門(mén)子PLC,西門(mén)子觸摸屏，西門(mén)子數(shù)控系統(tǒng)，西門(mén)子軟啟動(dòng)，西門(mén)子以太網(wǎng)
西門(mén)子電機(jī)，西門(mén)子變頻器，西門(mén)子直流調(diào)速器，西門(mén)子電線電纜
我公司大量現(xiàn)貨供應(yīng)，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，*，德國(guó)*

S7 -200 CPU上集成的通訊口支持PPI通訊，不iS離的CPU通訊口支 持的標(biāo)準(zhǔn)通訊距離為50 m,如果使用對(duì)RS 4SS中繼器，町以達(dá)到 RS-4S5的標(biāo)準(zhǔn)通訊距離1 200 m。PP] £持的通tU速率為9. 6 K波特、 19,2 K波特和187.5 K波特。

     運(yùn)行編程軟件Step7 - JVticr〇/WINf32的計(jì)算機(jī)可以認(rèn)為是一個(gè) PPI主站。要荻得1S7. 5 K波特的JPP1通訊速率，必須有CP卡、Smart： RS，232/PPI電纜或Smart USB/TPI電纜作為編程 接口，其設(shè)備，如TD200文本M示器/m70 micra等操作面板（HM])，也可 以通過(guò)PPI協(xié)議和S7 - 200 CPU連接。圖1 - 7所示為掛在Profikls^DP網(wǎng)絡(luò)上的S7 - 200_.。

S7 200提供幾種保持?jǐn)?shù)據(jù)的方法_，用戶根據(jù)芯要靈活選用：

CPU中內(nèi)置超級(jí)電容，在不太長(zhǎng)的斷電期間內(nèi)為保持?jǐn)?shù)據(jù)和時(shí)鐘提供 電源，不需要附件；

CPU上附加電池卡，與內(nèi)置趙級(jí)電容配合，長(zhǎng)期為時(shí)鐘和數(shù)據(jù)保持提供電源；

使用數(shù)據(jù)模塊，*保存不需要更改的數(shù)據(jù)；

編程時(shí)設(shè)置系統(tǒng)塊，可在CPU斷電時(shí)自動(dòng)*保存至多14個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)；

在用戶程序中編程，根據(jù)需要*保存數(shù)據(jù)。 

SIEMENS西門(mén)子6ES7953-8LJ30-0AA0型號(hào)及規(guī)格使用方法 “作為電池行業(yè)的數(shù)字化創(chuàng)新中心，們的目標(biāo)是為創(chuàng)新鏈和產(chǎn)業(yè)鏈提供的數(shù)字化解決方案，涵蓋從性原理計(jì)算到數(shù)字化雙胞胎工廠、從物料到系統(tǒng)的各個(gè)方面，”TIES院長(zhǎng)李泓教授說(shuō)    一、S7 -200的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)

   S7-200 CPU中的數(shù)據(jù)#儲(chǔ)岡分為兩類：易失性的RAM存儲(chǔ)區(qū)，以及*保存的EEPROM(■存儲(chǔ)區(qū)。RAM存儲(chǔ)區(qū)需要為其提供電源方能保持其中的數(shù)據(jù)不丟失。

   S7 - 200中的V數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)、M存儲(chǔ)區(qū)都屬于易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)。要保 存T(定時(shí)器）和C(計(jì)數(shù)器）數(shù)據(jù)，也需要提供電源。

S7 -200 CPU提供 EEPROM存儲(chǔ)器。EEPROM不需要另外的供電就能水久保存數(shù)據(jù)。EKPROM對(duì)應(yīng)于RAM中的V存儲(chǔ)區(qū)和M存儲(chǔ)區(qū)的--部 分，要把數(shù)據(jù)存人EEPROM,需要做一呰設(shè)置•或者編程_.

在S7 200項(xiàng)目的系統(tǒng)坱中，有設(shè)置RAM數(shù)據(jù)保持區(qū)的選項(xiàng)。SIEMENS西門(mén)子6ES7953-8LJ30-0AA0型號(hào)及規(guī)格使用方法{ 如果選中某個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)，則〔TMJ會(huì)在斷電時(shí)通過(guò)內(nèi)置超級(jí)電容和 電池卡（如果有）保持其中的數(shù)據(jù)；如果內(nèi)置超級(jí)電容放電完畢而i 數(shù)據(jù)消失，或者選擇了不保持某+數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù).則下次CTLI J 上電時(shí)，會(huì)把EKPROM中相應(yīng)的區(qū)域的內(nèi)容復(fù)制到RAM中。

   二、內(nèi)置電容保持?jǐn)?shù)據(jù)

   CPU內(nèi)置超級(jí)電容，在短期斷電期間為數(shù)據(jù)保持和實(shí)時(shí)時(shí)鐘（如果有）提供電源。

斷電后，CPU 221和CPU 222的超級(jí)電容可提供約50 h的數(shù)據(jù)保持， CPU 224 ：TU 226、CPU 226XM 可保持?jǐn)?shù)據(jù)約90 h_t,超級(jí)電容在CPU上電時(shí)充電₄為保證獲得上述指標(biāo)的數(shù)據(jù)保 持時(shí)間，需要充電至少M h_u內(nèi)置電容+電池卡保持?jǐn)?shù)據(jù)可以在S7-200 CPU的可選卡插槽上，插人電池卡BC293以提供額外的 數(shù)據(jù)保持時(shí)間。對(duì)于CUP 221和CPU 222,還可以選用財(cái)鐘/電池卡CC292, 同時(shí)獲得電池備份的數(shù)據(jù)保持和實(shí)時(shí)時(shí)鐘。

斷電后.癢先依靠?jī)?nèi)置的超級(jí)電容為數(shù)據(jù)提供電源。超級(jí)電容放電 完畢后，電池才起作川。

*靠電池為（TU提供數(shù)據(jù)備份電源時(shí)，電池壽命約200天，SIEMENS西門(mén)子6ES7953-8LJ30-0AA0型號(hào)及規(guī)格使用方法

   三、使用數(shù)據(jù)塊

   用戶編程時(shí)可以編輯數(shù)據(jù)塊_，數(shù)據(jù)塊用于給S7-2()0 CPU的V存儲(chǔ)區(qū)賦予初始值。由于數(shù)據(jù)塊在S7 - 200項(xiàng)目到CPU中時(shí)，直接存儲(chǔ)到EEPROM 中，所以數(shù)據(jù)塊的內(nèi)容永遠(yuǎn)不會(huì)丟失。

數(shù)據(jù)塊可以用于保存程序中用到的不改變的一些參數(shù)。

  四、斷電自動(dòng)保存

  S7 - 200 CPU的M存儲(chǔ)區(qū)有14字貨（MI3??MB13 >，以在C'PU斷電時(shí)自動(dòng)將其中的內(nèi)容：EEPROM的相應(yīng)區(qū)域中，則數(shù)據(jù)可以水久保存。

默認(rèn)情況下存儲(chǔ)區(qū)的這14個(gè)字節(jié)未設(shè)®為迮斷電時(shí)自動(dòng)保存，要在S7-200項(xiàng)目的系統(tǒng)塊中進(jìn)行設(shè)置。

  五、編程保存數(shù)據(jù)

  在程序中利用SMB31和SMW32特殊存儲(chǔ)器，可以把V存儲(chǔ)區(qū)中的任意地址的數(shù)據(jù)寫(xiě)*保次操” 作可以寫(xiě)人1個(gè)字節(jié)、宇SIEMENS西門(mén)子6ES7953-8LJ30-0AA0型號(hào)及規(guī)格使用方法或者雙字長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)。多次執(zhí)行操作，可以寫(xiě)人多個(gè)數(shù)據(jù)。

由于EEPROVI的寫(xiě)操作次數(shù)有限（少10萬(wàn)次，典型100萬(wàn) 次），在程序中必須注意寫(xiě)入操作的頻度對(duì)于類似由操作人員不定期更改的工藝參數(shù)等數(shù)據(jù)，可以在用戶 程序中判斷其狀態(tài)，在變化之后執(zhí)行寫(xiě)入EEPROM的操作。

S7-200PLCI/O配置

I/O地址分配規(guī)則

S7 200按照I/O的類型為其分配不同的地址，共有4類：

DI：數(shù)字量輸入

DO：數(shù)字量輸出

AI：模擬量輸入

AO：模擬量輸出 SIEMENS西門(mén)子6ES7953-8LJ30-0AA0型號(hào)及規(guī)格使用方法

數(shù)字輸人； 參I/O數(shù)宇貴輸出; ?A1:模擬埴輸人f ?A():模擬討輸出。

每一類I/O分別排列地址。從CPU開(kāi)始算起,I/O點(diǎn)從左到右按由小到大的規(guī)律排列D擴(kuò)展模塊的類型和位置一旦確定，則它的I/O點(diǎn)地址也隨之決定。

I/O

S7 -20CPU雖然具有相同的I/O映象區(qū)，伹不同CPU的I/O 際上取決于它們所能帶的擴(kuò)展模塊數(shù)。

CPU 221：0個(gè)擴(kuò)展模塊；

CPU 222：2個(gè)擴(kuò)展模塊

CPU 224：7個(gè)擴(kuò)展模塊

CPU 226/CPU 226 XM:7 個(gè)擴(kuò)展模塊。

I/O數(shù)目不但取決于CPU所能擴(kuò)展的模塊數(shù)量，還取決于CPU內(nèi)部電源所能提供的5V DC電源容量。 SIEMENS西門(mén)子6ES7953-8LJ30-0AA0型號(hào)及規(guī)格使用方法

 CPU還向外提供一個(gè)24 V DC電源，從電源輸出點(diǎn)（L+，M)引出。此電源可為CPU或擴(kuò)展模塊上的I/O點(diǎn)供電。此電源還從S7 -200 CPU上的通訊口輸出，提供給HC/PIM編程電纜， 或TD200文本顯示操作界面等設(shè)備，

S7-200 CPU供電能力如表1--7所列。 SIEMENS西門(mén)子6ES7953-8LJ30-0AA0型號(hào)及規(guī)格使用方法

創(chuàng)新中心將為*電池創(chuàng)新鏈和產(chǎn)業(yè)鏈提供的數(shù)字化服務(wù)，包括設(shè)計(jì)仿真、測(cè)試分析、中試驗(yàn)證和工程仿真等

    由表1 -7可見(jiàn)，不同規(guī)格的（TU提供5 V DC和24 V DC電源的容量不同。每個(gè)實(shí)際應(yīng)用項(xiàng)目都要就電源容量進(jìn)行規(guī)劃計(jì)算。

    每個(gè)擴(kuò)展模塊都需要5 V DC電源_，應(yīng)當(dāng)檢查所有擴(kuò)展模塊的5V DC電源需求是否超出CPU的供電能力，如果超出，就必須減少或改變模塊配置。

有些擴(kuò)展模塊需要24 V DC電源供電，VO點(diǎn)也可能笫要24 V DC電源，TD200等也需要24 V DC電源。這些電源也要根據(jù)CPU的供電能力進(jìn)行計(jì)箅。如果所需電源超出電源的容MV石要增加外接24 V DC電源 S7- 200 CPU上提供的電源不能和外接電源并聯(lián)，但它們必須共地。

一個(gè)電源計(jì)算的示例如表1-S所列。