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西門(mén)子模塊6ES7318-3EL01-0AB0潯之漫智控技術(shù)有限公司在經(jīng)營(yíng)活動(dòng)中精益求精,具備如下業(yè)務(wù)優(yōu)勢(shì):SIEMENS可編程控制器 1、SIMATIC S7系列PLC:S7-200、S7-1200、S7-300、S7-400、ET-200 2、 邏輯控制模塊LOGO!230RC、230RCO、230RCL、24RC、24RCL等 3、SITOP直流電源24V DC1.3A、2
更新時(shí)間:2020-07-14
廠商性質(zhì): 總代理商
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潯之漫智控技術(shù)有限公司在經(jīng)營(yíng)活動(dòng)中精益求精,具備如下業(yè)務(wù)優(yōu)勢(shì):
SIEMENS可編程控制器
1、SIMATIC S7系列PLC:S7-200、S7-1200、S7-300、S7-400、ET-200
2、 邏輯控制模塊LOGO!230RC、230RCO、230RCL、24RC、24RCL等
3、SITOP直流電源24V DC1.3A、2.5A、3A、5A、10A、20A、40A可并聯(lián).
4、HMI 觸摸屏TD200 TD400CK-TP OP177 TP177,MP277 MP377,
CC292:日期/時(shí)鐘電池卡,用于CPU 221和CPU 222兩種不具備內(nèi) 部實(shí)時(shí)時(shí)鐘的CPU,以提供H期/時(shí)鐘功能,同時(shí)提供內(nèi)存后備電池。西門(mén)子6ES7314-1AG14-0AB0參數(shù)及使用方法
• BC293:電池卡D為所有類型的CPU提供數(shù)據(jù)保持的后備電池。電池 在超級(jí)電容放電完畢后起作用。
S7-200 CPU擴(kuò)展模塊
S7 - 200 CPU為了擴(kuò)展I/O點(diǎn)和執(zhí)行特殊的功能,可以連接擴(kuò)展模塊 (CPU 221除外擴(kuò)展模塊主要有如下幾類:
數(shù)字量I/O模塊;
模擬量I/O模塊;
通訊模塊;
特殊功能模塊。西門(mén)子6ES7314-1AG14-0AB0參數(shù)及使用方法
一、數(shù)字量I/O擴(kuò)展模塊
EM221:數(shù)字量輸人擴(kuò)展模塊。包括3種類型:
8點(diǎn)24 V DC輸人*
8點(diǎn)AC丨20/230 V輸人;
9 16 點(diǎn) 24 V 1〕C:輸人。
EM222:數(shù)字錯(cuò)輸出擴(kuò)展欖塊,包括5神類型:
8點(diǎn)24 V DC(晶體管)輸出;
8點(diǎn)繼電器輸出;
8 點(diǎn) AC 1.20/230 V 輸出 *
4點(diǎn)24 V DC.輸出,每點(diǎn)5 A;
4點(diǎn)繼電器輸出/每點(diǎn)10 A。
EM 223:數(shù)字M輸人/輸出擴(kuò)展模塊,共有6種類型:
4點(diǎn)24 V IX:輸人/4 V DC輸出;
4點(diǎn)24 V DC輸人/4 V繼電器輸出;
8點(diǎn)24 V DC輸人/8 V DC輸出>
8點(diǎn)24 V DC輸人/8 V繼電器輸出;
16點(diǎn)24 V DC輸人/16 VDC輸出;
16點(diǎn)24 V DC輸人A6V繼電器輸出,
各種模塊具有各自的訂貨號(hào).
數(shù)字:.M:擴(kuò)展模塊通用規(guī)范如表1 - 3所列u 西門(mén)子6ES7314-1AG14-0AB0參數(shù)及使用方法
二、模擬量I/O擴(kuò)展模塊
EM 231:模擬ft輸人模塊,4通道電流/電壓輸人;
EM 232:模擬1輸出模塊,2通道電流/_電輸出;
EM 235:模擬迸輸人/_輸出模塊d通道電流/電].i:輸人、1通道電流/電JK 輸出。
三、溫度擴(kuò)展模塊
溫度擴(kuò)展模塊是模擬量模塊的特殊形式。它們是: KM 231 TC:熱電偶輸人模塊,4輸人通道;
EM 231 RTD:熱電阻輸入模塊,2輸人通道,
四、特殊功能模塊
S7 - 200還提供了一些特殊模塊,用以完成特定的任務(wù)。例如:
253:控制模塊。它能產(chǎn)生脈沖串,用于步進(jìn)電機(jī)和伺服電機(jī)的速度和位置的開(kāi)環(huán)控制。西門(mén)子6ES7314-1AG14-0AB0參數(shù)及使用方法
S7-200 PP西門(mén)子6ES7314-1AG14-0AB0參數(shù)及使用方法I網(wǎng)絡(luò)通訊
PPI(點(diǎn)對(duì)點(diǎn)接口)是西門(mén)子為S7- 200系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的通汛協(xié)議。 PPI是一種書(shū)-從協(xié)議:主站設(shè)備發(fā)送要求到從站設(shè)備,從站設(shè)備響應(yīng),從站不主動(dòng)發(fā)信息,只是等待主站的要求和對(duì)要求作出響應(yīng)。PPI網(wǎng)絡(luò)中可以存多個(gè)主站。PPI并不限制與任意一個(gè)從站通訊.的主站數(shù)審,但是在1個(gè)網(wǎng)段中,通訊站的數(shù)量不能超過(guò)32個(gè)。帶中繼器的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)如圖1 -6所示
圖I帶中繼器的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)
S7 -200 CPU上集成的通訊口支持PPI通訊,不iS離的CPU通訊口支 持的標(biāo)準(zhǔn)通訊距離為50 m,如果使用對(duì)RS 4SS中繼器,町以達(dá)到 RS-4S5的標(biāo)準(zhǔn)通訊距離1 200 m。PP] £持的通tU速率為9. 6 K波特、 19,2 K波特和187.5 K波特。
運(yùn)行編程軟件Step7 - JVticr〇/WINf32的計(jì)算機(jī)可以認(rèn)為是一個(gè) PPI主站。要荻得1S7. 5 K波特的JPP1通訊速率,必須有CP卡、Smart: RS,232/PPI電纜或Smart USB/TPI電纜作為編程 接口,其設(shè)備,如TD200文本M示器/m70 micra等操作面板(HM]),也可 以通過(guò)PPI協(xié)議和S7 - 200 CPU連接。圖1 - 7所示為掛在Profikls^DP網(wǎng)絡(luò)上的S7 - 200.。
S7-200 數(shù)據(jù)保持方式及注意事項(xiàng)
S7 200提供幾種保持?jǐn)?shù)據(jù)的方法,用戶根據(jù)芯要靈活選用:
CPU中內(nèi)置超級(jí)電容,在不太長(zhǎng)的斷電期間內(nèi)為保持?jǐn)?shù)據(jù)和時(shí)鐘提供 電源,不需要附件;
CPU上附加電池卡,與內(nèi)置趙級(jí)電容配合,長(zhǎng)期為時(shí)鐘和數(shù)據(jù)保持提供電源;
使用數(shù)據(jù)模塊,*保存不需要更改的數(shù)據(jù);
編程時(shí)設(shè)置系統(tǒng)塊,可在CPU斷電時(shí)自動(dòng)*保存至多14個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù);
在用戶程序中編程,根據(jù)需要*保存數(shù)據(jù)。
西門(mén)子6ES7314-1AG14-0AB0參數(shù)及使用方法創(chuàng)新中心將推動(dòng)*電池技術(shù)研究,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同,并讓合作伙伴能夠研發(fā)前沿電池技術(shù),滿足未來(lái)電動(dòng)汽車(chē)的需求 一、S7 -200的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)
S7-200 CPU中的數(shù)據(jù)#儲(chǔ)岡分為兩類:易失性的RAM存儲(chǔ)區(qū),以及*保存的EEPROM(■存儲(chǔ)區(qū)。RAM存儲(chǔ)區(qū)需要為其提供電源方能保持其中的數(shù)據(jù)不丟失。
S7 - 200中的V數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)、M存儲(chǔ)區(qū)都屬于易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)。要保 存T(定時(shí)器)和C(計(jì)數(shù)器)數(shù)據(jù),也需要提供電源。
S7 -200 CPU提供 EEPROM存儲(chǔ)器。EEPROM不需要另外的供電就能水久保存數(shù)據(jù)。EKPROM對(duì)應(yīng)于RAM中的V存儲(chǔ)區(qū)和M存儲(chǔ)區(qū)的--部 分,要把數(shù)據(jù)存人EEPROM,需要做一呰設(shè)置•或者編程.
在S7 200項(xiàng)目的系統(tǒng)坱中,有設(shè)置RAM數(shù)據(jù)保持區(qū)的選項(xiàng)。西門(mén)子6ES7314-1AG14-0AB0參數(shù)及使用方法{ 如果選中某個(gè)數(shù)據(jù)區(qū),則〔TMJ會(huì)在斷電時(shí)通過(guò)內(nèi)置超級(jí)電容和 電池卡(如果有)保持其中的數(shù)據(jù);如果內(nèi)置超級(jí)電容放電完畢而i 數(shù)據(jù)消失,或者選擇了不保持某+數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù).則下次CTLI J 上電時(shí),會(huì)把EKPROM中相應(yīng)的區(qū)域的內(nèi)容復(fù)制到RAM中。
二、內(nèi)置電容保持?jǐn)?shù)據(jù)
CPU內(nèi)置超級(jí)電容,在短期斷電期間為數(shù)據(jù)保持和實(shí)時(shí)時(shí)鐘(如果有)提供電源。
斷電后,CPU 221和CPU 222的超級(jí)電容可提供約50 h的數(shù)據(jù)保持, CPU 224 :TU 226、CPU 226XM 可保持?jǐn)?shù)據(jù)約90 ht,超級(jí)電容在CPU上電時(shí)充電4為保證獲得上述指標(biāo)的數(shù)據(jù)保 持時(shí)間,需要充電至少M hu內(nèi)置電容+電池卡保持?jǐn)?shù)據(jù)可以在S7-200 CPU的可選卡插槽上,插人電池卡BC293以提供額外的 數(shù)據(jù)保持時(shí)間。對(duì)于CUP 221和CPU 222,還可以選用財(cái)鐘/電池卡CC292, 同時(shí)獲得電池備份的數(shù)據(jù)保持和實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
斷電后.癢先依靠?jī)?nèi)置的超級(jí)電容為數(shù)據(jù)提供電源。超級(jí)電容放電 完畢后,電池才起作川。
*靠電池為(TU提供數(shù)據(jù)備份電源時(shí),電池壽命約200天,西門(mén)子6ES7314-1AG14-0AB0參數(shù)及使用方法
三、使用數(shù)據(jù)塊
用戶編程時(shí)可以編輯數(shù)據(jù)塊,數(shù)據(jù)塊用于給S7-2()0 CPU的V存儲(chǔ)區(qū)賦予初始值。由于數(shù)據(jù)塊在S7 - 200項(xiàng)目到CPU中時(shí),直接存儲(chǔ)到EEPROM 中,所以數(shù)據(jù)塊的內(nèi)容永遠(yuǎn)不會(huì)丟失。
數(shù)據(jù)塊可以用于保存程序中用到的不改變的一些參數(shù)。
四、斷電自動(dòng)保存
S7 - 200 CPU的M存儲(chǔ)區(qū)有14字貨(MI3??MB13 >,以在C'PU斷電時(shí)自動(dòng)將其中的內(nèi)容:EEPROM的相應(yīng)區(qū)域中,則數(shù)據(jù)可以水久保存。
默認(rèn)情況下存儲(chǔ)區(qū)的這14個(gè)字節(jié)未設(shè)®為迮斷電時(shí)自動(dòng)保存,要在S7-200項(xiàng)目的系統(tǒng)塊中進(jìn)行設(shè)置。
五、編程保存數(shù)據(jù)
在程序中利用SMB31和SMW32特殊存儲(chǔ)器,可以把V存儲(chǔ)區(qū)中的任意地址的數(shù)據(jù)寫(xiě)*保次操 創(chuàng)新中心將為*電池創(chuàng)新鏈和產(chǎn)業(yè)鏈提供的數(shù)字化服務(wù),包括設(shè)計(jì)仿真、測(cè)試分析、中試驗(yàn)證和工程仿真等 作可以寫(xiě)人1個(gè)字節(jié)、宇西門(mén)子6ES7314-1AG14-0AB0參數(shù)及使用方法或者雙字長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)。多次執(zhí)行操作,可以寫(xiě)人多個(gè)數(shù)據(jù)。
由于EEPROVI的寫(xiě)操作次數(shù)有限(少10萬(wàn)次,典型100萬(wàn) 次),在程序中必須注意寫(xiě)入操作的頻度對(duì)于類似由操作人員不定期更改的工藝參數(shù)等數(shù)據(jù),可以在用戶 程序中判斷其狀態(tài),在變化之后執(zhí)行寫(xiě)入EEPROM的操作。
S7-200PLCI/O配置
I/O地址分配規(guī)則
S7 200按照I/O的類型為其分配不同的地址,共有4類:
DI:數(shù)字量輸入
DO:數(shù)字量輸出
AI:模擬量輸入
AO:模擬量輸出 西門(mén)子6ES7314-1AG14-0AB0參數(shù)及使用方法
數(shù)字輸人; 參I/O數(shù)宇貴輸出; ?A1:模擬埴輸人f ?A():模擬討輸出。
每一類I/O分別排列地址。從CPU開(kāi)始算起,I/O點(diǎn)從左到右按由小到大的規(guī)律排列D擴(kuò)展模塊的類型和位置一旦確定,則它的I/O點(diǎn)地址也隨之決定。
I/O
S7 -20CPU雖然具有相同的I/O映象區(qū),伹不同CPU的I/O 際上取決于它們所能帶的擴(kuò)展模塊數(shù)。
CPU 221:0個(gè)擴(kuò)展模塊;
CPU 222:2個(gè)擴(kuò)展模塊
CPU 224:7個(gè)擴(kuò)展模塊
CPU 226/CPU 226 XM:7 個(gè)擴(kuò)展模塊。
I/O數(shù)目不但取決于CPU所能擴(kuò)展的模塊數(shù)量,還取決于CPU內(nèi)部電源所能提供的5V DC電源容量。 西門(mén)子6ES7314-1AG14-0AB0參數(shù)及使用方法
西門(mén)子模塊6ES7318-3EL01-0AB0
西門(mén)子S7-200 CPU電源計(jì)算
所有的S7-200 CPU都有內(nèi)部電源,為CPU自身、擴(kuò)展模塊和其用電 設(shè)備提供5V、24V電源。擴(kuò)展模塊通過(guò)與CPU連接的總線連接電纜取得5 V直流電。
CPU還向外提供一個(gè)24 V DC電源,從電源輸出點(diǎn)(L+,M)引出。此電源可為CPU或擴(kuò)展模塊上的I/O點(diǎn)供電。此電源還從S7 -200 CPU上的通訊口輸出,提供給HC/PIM編程電纜, 或TD200文本顯示操作界面等設(shè)備,
S7-200 CPU供電能力如表1--7所列。 西門(mén)子6ES7314-1AG14-0AB0參數(shù)及使用方法
創(chuàng)新中心位于TIES在江蘇省溧陽(yáng)市的園區(qū)內(nèi),耗資5億元人民幣,占地5.1萬(wàn)平米,致力于推動(dòng)*電池產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí),促進(jìn)相關(guān)技術(shù)研發(fā)以及為這一不斷發(fā)展壯大的地區(qū)培養(yǎng)和引入人才
由表1 -7可見(jiàn),不同規(guī)格的(TU提供5 V DC和24 V DC電源的容量不同。每個(gè)實(shí)際應(yīng)用項(xiàng)目都要就電源容量進(jìn)行規(guī)劃計(jì)算。
每個(gè)擴(kuò)展模塊都需要5 V DC電源,應(yīng)當(dāng)檢查所有擴(kuò)展模塊的5V DC電源需求是否超出CPU的供電能力,如果超出,就必須減少或改變模塊配置。
有些擴(kuò)展模塊需要24 V DC電源供電,VO點(diǎn)也可能笫要24 V DC電源,TD200等也需要24 V DC電源。這些電源也要根據(jù)CPU的供電能力進(jìn)行計(jì)箅。如果所需電源超出電源的容MV石要增加外接24 V DC電源 S7- 200 CPU上提供的電源不能和外接電源并聯(lián),但它們必須共地。
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